PDTB123ES,126
PDTB123ES,126
رقم القطعة:
PDTB123ES,126
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15056 Pieces
ورقة البيانات:
PDTB123ES,126.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PDTB123ES,126 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PDTB123ES,126 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى PDTB123ES,126 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 2.5mA, 50mA
نوع الترانزستور:PNP - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:TO-92-3
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):2.2k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):2.2k
السلطة - ماكس:500mW
التعبئة والتغليف:Tape & Box (TB)
حزمة / كيس:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
اسماء اخرى:934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:PDTB123ES,126
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
وصف:TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:40 @ 50mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):500mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات