يشترى PDTC115ES,126 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
---|---|
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 150mV @ 250µA, 5mA |
نوع الترانزستور: | NPN - Pre-Biased |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
سلسلة: | - |
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم): | 100k |
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم): | 100k |
السلطة - ماكس: | 500mW |
التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
اسماء اخرى: | 934057567126 PDTC115ES AMO PDTC115ES AMO-ND |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | PDTC115ES,126 |
تردد - تحول: | - |
وصف موسع: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
وصف: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 80 @ 5mA, 5V |
الحالي - جامع القطع (ماكس): | 1µA |
الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 20mA |
Email: | [email protected] |