يشترى PHN210,118 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PHN210,118
- رقم القطعة:
- PHN210,118
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14600 Pieces
- ورقة البيانات:
- PHN210,118.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PHN210,118 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PHN210,118 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.8V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 934033430118 PHN210 /T3 PHN210 /T3-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PHN210,118 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 250pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPHN210,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VKM60-01P1 | IXYS | MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 | تحقيق |
 |
APTC60DDAM70T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3 | تحقيق |
 |
VT6J1T2CR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6 | تحقيق |
 |
FDS4897C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | تحقيق |
 |
STS8C5H30L | STMicroelectronics | MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC | تحقيق |
|
HUF76407DK8T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V SOP-8 | تحقيق |
 |
VMM300-03F | IXYS | MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB | تحقيق |
 |
ALD110814PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP | تحقيق |
 |
SI5943DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK | تحقيق |
 |
FDG6304P_D87Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 | تحقيق |
 |
EM6K31T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 | تحقيق |
 |
BTS7904SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 | تحقيق |
 |
SI4544DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
SIA928DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog