يشترى PMDPB28UN,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMDPB28UN,115
- رقم القطعة:
- PMDPB28UN,115
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17329 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMDPB28UN,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMDPB28UN,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMDPB28UN,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN2020-6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 510mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-UDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 568-10755-2 934066488115 PMDPB28UN,115-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PMDPB28UN,115 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 265pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.6A 510mW Surface Mount DFN2020-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMDPB28UN,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | تحقيق |
|
PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | تحقيق |
 |
SI7923DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | تحقيق |
 |
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC | تحقيق |
|
PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | تحقيق |
 |
ALD1117PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | تحقيق |
 |
NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | تحقيق |
 |
NTND31015NZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.2A XLLGA6 | تحقيق |
 |
SI1970DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | تحقيق |
|
DI9952T | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC | تحقيق |
|
PMDPB56XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | تحقيق |
 |
CSD87355Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 8LSON | تحقيق |
 |
FDR8508P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8 | تحقيق |
 |
NTMD2C02R2SG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC | تحقيق |
|
PMDPB95XNE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | تحقيق |
 |
FMP36-015P | IXYS | MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC | تحقيق |
|
DMC3021LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO | تحقيق |
|
PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | تحقيق |
 |
SP8J5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SSM6N7002BFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog