يشترى PMDXB600UNE مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMDXB600UNE
- رقم القطعة:
- PMDXB600UNE
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17531 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMDXB600UNE.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMDXB600UNE ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMDXB600UNE عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DFN (1.1x1) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 265mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 1727-1470-2 568-10941-2 568-10941-2-ND 934067655147 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | PMDXB600UNE |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 21.3pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMDXB600UNE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | تحقيق |
 |
FDG8842CZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6 | تحقيق |
|
PMDXB950UPELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF | تحقيق |
 |
AUIRF7309QTR | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | تحقيق |
 |
AO4618 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC | تحقيق |
|
BSO200N03 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO | تحقيق |
 |
SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR | تحقيق |
|
PMDXB550UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | تحقيق |
|
PMDXB600UNELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF | تحقيق |
|
PMDXB950UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | تحقيق |
|
PMDXB950UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | تحقيق |
 |
IRF5810TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | تحقيق |
 |
ALD210800APCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | تحقيق |
|
PMDXB1200UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog