يشترى PMGD8000LN,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMGD8000LN,115
- رقم القطعة:
- PMGD8000LN,115
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17732 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMGD8000LN,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMGD8000LN,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMGD8000LN,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 100µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSSOP |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| السلطة - ماكس: | 200mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | 568-2370-2 934057621115 PMGD8000LN T/R |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PMGD8000LN,115 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 18.5pF @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.35nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMGD8000LN,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDMA1027PT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET | تحقيق |
 |
SI7946DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
APTM50AM24SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | تحقيق |
 |
AUIRF7316Q | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC | تحقيق |
 |
SI7501DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 | تحقيق |
 |
IRF7756TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | تحقيق |
 |
FDC6327C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 | تحقيق |
 |
SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | تحقيق |
|
SI4974DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NVMFD5877NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC | تحقيق |
 |
APTM50AM24SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | تحقيق |
 |
IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | تحقيق |
|
IRF8910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog