يشترى PMWD26UN,518 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMWD26UN,518
- رقم القطعة:
- PMWD26UN,518
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12258 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMWD26UN,518.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMWD26UN,518 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMWD26UN,518 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 700mV @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 3.1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | 568-2363-2 934057597518 PMWD26UN /T3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PMWD26UN,518 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1366pF @ 16V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 23.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.8A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMWD26UN,518
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120A65FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | تحقيق |
 |
FDW2511NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP | تحقيق |
 |
VQ3001P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP | تحقيق |
 |
PMWD20XN,118 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP | تحقيق |
 |
AON5802B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN | تحقيق |
 |
STL50DN6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT | تحقيق |
 |
IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | تحقيق |
|
SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 20V SC70-6 | تحقيق |
 |
FDS89161LZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC | تحقيق |
 |
GWM70-01P2 | IXYS | MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL | تحقيق |
|
DMC4047LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC | تحقيق |
 |
TT8K1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8 | تحقيق |
 |
SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | تحقيق |
|
IRF7755TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog