يشترى PMZB290UNE,315 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMZB290UNE,315
- رقم القطعة:
- PMZB290UNE,315
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15706 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMZB290UNE,315.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMZB290UNE,315 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMZB290UNE,315 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 3-DFN1006B (0.6x1) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 3-XFDFN |
| اسماء اخرى: | 1727-1378-2 568-10840-2 568-10840-2-ND 934065873315 PMZB290UNE,315-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PMZB290UNE,315 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 83pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.68nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 1A (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 3-DFN1006B (0.6x1) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMZB290UNE,315
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ATP405-TL-HX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DPAK | تحقيق |
 |
PMZB290UN,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | تحقيق |
 |
IRF7416QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NDP7050L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRF1010ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
PMZB290UNE2YL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 | تحقيق |
 |
SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXTK60N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 | تحقيق |
 |
IXTQ140N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P | تحقيق |
 |
STD13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | تحقيق |
 |
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | تحقيق |
 |
FQI8P10TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK | تحقيق |
|
PMZB200UNEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT883 | تحقيق |
 |
TPS1100PW | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
FQPF46N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog