يشترى PTFA092211ELV4R250XTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTFA092211ELV4R250XTMA1
- رقم القطعة:
- PTFA092211ELV4R250XTMA1
- وصف:
- FET RF LDMOS 220W H33288-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17135 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTFA092211ELV4R250XTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTFA092211ELV4R250XTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTFA092211ELV4R250XTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 30V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-33288-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 220W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| اسماء اخرى: | PTFA092211EL V4 R250 PTFA092211EL V4 R250-ND SP000640630 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PTFA092211ELV4R250XTMA1 |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 940MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.75A 940MHz 18dB 220W H-33288-2 |
| وصف: | FET RF LDMOS 220W H33288-3 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.75A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTFA092211ELV4R250XTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFA092211FLV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFA092201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | تحقيق |
 |
PTFA092201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA092213FLV5R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288-6 | تحقيق |
 |
PTFA092211ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 220W H33288-2 | تحقيق |
|
PTFA092213ELV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | تحقيق |
|
PTFA092213ELV4T400XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
|
PTFA092201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA092213FLV5XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288-4/2 | تحقيق |
|
PTFA092213ELV4R250XTMA2 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
|
PTFA092201E V1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog