يشترى PTFA190451EV4XWSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTFA190451EV4XWSA1
- رقم القطعة:
- PTFA190451EV4XWSA1
- وصف:
- IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18299 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTFA190451EV4XWSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTFA190451EV4XWSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTFA190451EV4XWSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-36265-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 11W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| اسماء اخرى: | PTFA190451E V4 PTFA190451E V4-ND SP000465598 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PTFA190451EV4XWSA1 |
| ربح: | 17.5dB |
| تردد: | 1.96GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 1.96GHz 17.5dB 11W H-36265-2 |
| وصف: | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 |
| التصويت الحالي: | 10µA |
| الحالي - اختبار: | 450mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTFA190451EV4XWSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA192001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | تحقيق |
|
PTFA192401FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | تحقيق |
 |
PTFA190451EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 | تحقيق |
 |
PTFA192001EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA191001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 | تحقيق |
|
PTFA190451FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | تحقيق |
|
PTFA190451FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | تحقيق |
|
PTFA191001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 | تحقيق |
|
PTFA192001EV4T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog