يشترى PTFA212401E V4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTFA212401E V4
- رقم القطعة:
- PTFA212401E V4
- وصف:
- FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13192 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTFA212401E V4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTFA212401E V4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTFA212401E V4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 30V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-36260-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 50W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| اسماء اخرى: | SP000426690 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | PTFA212401E V4 |
| ربح: | 15.8dB |
| تردد: | 2.14GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.6A 2.14GHz 15.8dB 50W H-36260-2 |
| وصف: | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 |
| التصويت الحالي: | 10µA |
| الحالي - اختبار: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTFA212401E V4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA212001F1V4XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF POWER TRANSISTOR | تحقيق |
 |
PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | تحقيق |
|
PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | تحقيق |
|
PTFA212001FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | تحقيق |
|
PTFA212001F1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF POWER TRANSISTOR | تحقيق |
 |
PTFA212001EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA212001FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | تحقيق |
|
PTFA212001EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA212001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog