يشترى PTFA261301F V1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTFA261301F V1
- رقم القطعة:
- PTFA261301F V1
- وصف:
- IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13269 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTFA261301F V1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTFA261301F V1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTFA261301F V1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-31260-2 |
| سلسلة: | GOLDMOS® |
| مخرج قوي: | 130W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| اسماء اخرى: | SP000102795 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | PTFA261301F V1 |
| ربح: | 13.5dB |
| تردد: | 2.68GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.68GHz 13.5dB 130W H-31260-2 |
| وصف: | IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 |
| التصويت الحالي: | 10µA |
| الحالي - اختبار: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTFA261301F V1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA211801EV5T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | تحقيق |
 |
PTFA260851F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 | تحقيق |
|
PTFA260451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 | تحقيق |
|
PTFA260851F V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 | تحقيق |
 |
PTFA260851E V1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 | تحقيق |
|
PTFA261301E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 | تحقيق |
|
PTFA260851E V1 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 | تحقيق |
|
PTFA210601F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 | تحقيق |
|
PTFA261702E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 | تحقيق |
|
PTFA211801EV5XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2 | تحقيق |
|
PTFA212001F1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF POWER TRANSISTOR | تحقيق |
|
PTFA220041MV4XUMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 4W SON10 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog