يشترى PTFB082817FHV1XWSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTFB082817FHV1XWSA1
- رقم القطعة:
- PTFB082817FHV1XWSA1
- وصف:
- IC FET RF LDMOS H-34288
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16271 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTFB082817FHV1XWSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTFB082817FHV1XWSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTFB082817FHV1XWSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-34288-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 60W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| اسماء اخرى: | SP000891180 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PTFB082817FHV1XWSA1 |
| ربح: | 19.3dB |
| تردد: | 821MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 2.15A 821MHz 19.3dB 60W H-34288-2 |
| وصف: | IC FET RF LDMOS H-34288 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 2.15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTFB082817FHV1XWSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB093608FVV2S250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-362620-2 | تحقيق |
|
PTFB082817FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288 | تحقيق |
|
PTFB082817FHV1S250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288 | تحقيق |
|
PTFB093608FVV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFB091507FHV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | تحقيق |
|
PTFB093608FVV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFB091802FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | تحقيق |
|
PTFB090901FAV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFB092707FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFB090901EAV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog