يشترى QJD1210SA2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
QJD1210SA2
- رقم القطعة:
- QJD1210SA2
- الصانع:
- Powerex, Inc.
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18403 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.QJD1210SA2.pdf2.QJD1210SA2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل QJD1210SA2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك QJD1210SA2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.6V @ 34mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | Module |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 17 mOhm @ 100A, 15V |
| السلطة - ماكس: | 415W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Module |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | QJD1210SA2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8200pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 330nC @ 15V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لQJD1210SA2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
QJD1210011 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | تحقيق |
 |
FMM22-05PF | IXYS | MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC | تحقيق |
|
QJD1210SA1 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | تحقيق |
|
QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | تحقيق |
 |
SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
QJD1210010 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | تحقيق |
 |
VQ1001P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | تحقيق |
 |
IRF7309PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | تحقيق |
 |
NTZD3158PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 | تحقيق |
|
SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | تحقيق |
|
SI7960DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog