يشترى QS8M12TCR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
QS8M12TCR
- رقم القطعة:
- QS8M12TCR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19977 Pieces
- ورقة البيانات:
- QS8M12TCR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل QS8M12TCR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك QS8M12TCR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TSMT8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 42 mOhm @ 4A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| اسماء اخرى: | QS8M12TCRTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | QS8M12TCR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 250pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.4nC @ 5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لQS8M12TCR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
US6J11TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 | تحقيق |
 |
IRFI4020H-117P | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP | تحقيق |
 |
BUK9K18-40E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D | تحقيق |
 |
QS8M13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 | تحقيق |
|
QS8M11TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | تحقيق |
 |
AON6994 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A | تحقيق |
 |
IRF9952QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
CAS120M12BM2 | Cree/Wolfspeed | MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE | تحقيق |
 |
SIA914ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L | تحقيق |
|
IRF7379TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDMS3622S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56 | تحقيق |
|
SP8M5FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC | تحقيق |
 |
FDMD8260L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog