R6009ENJTL
R6009ENJTL
رقم القطعة:
R6009ENJTL
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 9A LPT
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16566 Pieces
ورقة البيانات:
R6009ENJTL.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل R6009ENJTL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك R6009ENJTL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى R6009ENJTL مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:LPTS (D2PAK)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:535 mOhm @ 2.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):40W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:R6009ENJTLDKR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:17 Weeks
الصانع الجزء رقم:R6009ENJTL
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:430pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:23nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 9A LPT
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات