R6030ENZC8
R6030ENZC8
رقم القطعة:
R6030ENZC8
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13185 Pieces
ورقة البيانات:
R6030ENZC8.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل R6030ENZC8 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك R6030ENZC8 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى R6030ENZC8 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3PF
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:130 mOhm @ 14.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):120W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3 Full Pack
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:17 Weeks
الصانع الجزء رقم:R6030ENZC8
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2100pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:85nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات