يشترى RDS80610XX مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RDS80610XX
- رقم القطعة:
- RDS80610XX
- الصانع:
- Powerex, Inc.
- وصف:
- DIODE MODULE 600V 10000A PWRDISC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17102 Pieces
- ورقة البيانات:
- RDS80610XX.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RDS80610XX ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RDS80610XX عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 750mV @ 4000A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 25µs |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | RDS80610XX |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 10000A Surface Mount |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE MODULE 600V 10000A PWRDISC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 300mA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 10000A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRDS80610XX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SBAS21LT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 | تحقيق |
 |
R6201030XXOO | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1KV 300A DO200AA | تحقيق |
 |
DSAI17-18A | IXYS | DIODE AVALANCHE 1.8KV 25A DO203 | تحقيق |
 |
SE20PAJ-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 600V 1.6A DO220AA | تحقيق |
 |
GP15DHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC | تحقيق |
 |
RY2AV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
MPL-1036S | Sanken | DIODE UF 600V 3A TO-263 | تحقيق |
 |
VS-1N3624 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA | تحقيق |
 |
SF5404-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVAL 3A 400V SOD-64 | تحقيق |
|
RDS80810XX | Powerex Inc. | DIODE MODULE 800V 10000A PWRDISC | تحقيق |
 |
1N483A | Microsemi Corporation | DIODE RECT STD RECOVERY | تحقيق |
 |
CLH07(TE16L,NMB,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 400V 5A L-FLAT | تحقيق |
|
EU02ZV0 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
S2G-E3/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | تحقيق |
 |
RS1JFP | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE FAST 600V 1.2A SOD-123HE | تحقيق |
|
JANTX1N6078 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
R6012025XXYA | Powerex Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | تحقيق |
|
EL02Z | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL | تحقيق |
 |
DSEP8-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC | تحقيق |
 |
B180-13 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 80V 1A SMA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog