يشترى RF4E070BNTR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RF4E070BNTR
- رقم القطعة:
- RF4E070BNTR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12761 Pieces
- ورقة البيانات:
- RF4E070BNTR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RF4E070BNTR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RF4E070BNTR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-HUML2020L8 (2x2) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 28.6 mOhm @ 7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerUDFN |
| اسماء اخرى: | RF4E070BNTRTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RF4E070BNTR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 410pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.9nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRF4E070BNTR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQPF2NA90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220F | تحقيق |
 |
IRFB23N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB | تحقيق |
 |
RF4E070GNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML | تحقيق |
 |
PSMN7R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK | تحقيق |
|
RF4E080GNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML | تحقيق |
 |
IPI120N04S401AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1 | تحقيق |
 |
CSD18542KTTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK | تحقيق |
|
RF4E075ATTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN | تحقيق |
 |
IRFP460A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC | تحقيق |
 |
SQ2301ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3 | تحقيق |
 |
SI5447DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8 | تحقيق |
 |
STW75NF30 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 300V 60A TO-247 | تحقيق |
 |
FQP19N20L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 21A TO-220 | تحقيق |
 |
IRL540L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A TO-262 | تحقيق |
 |
IRF740LCSTRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK | تحقيق |
|
RF4E080BNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML | تحقيق |
 |
IXFN50N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog