يشترى RFD16N05LSM9A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RFD16N05LSM9A
- رقم القطعة:
- RFD16N05LSM9A
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17171 Pieces
- ورقة البيانات:
- RFD16N05LSM9A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RFD16N05LSM9A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RFD16N05LSM9A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252AA |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 47 mOhm @ 16A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 60W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | RFD16N05LSM9ATR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RFD16N05LSM9A |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 80nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 50V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4V, 5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 50V |
| وصف: | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRFD16N05LSM9A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RFD16N05SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA | تحقيق |
 |
RFD16N05 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK | تحقيق |
 |
NTP5864NG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 63A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTA98N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 | تحقيق |
|
RFD16N05LSM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA | تحقيق |
 |
IRFS41N15DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTY18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | تحقيق |
|
RFD16N05SM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA | تحقيق |
 |
IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN | تحقيق |
|
IXFP16N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 | تحقيق |
|
RFD16N06LESM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog