يشترى RGT16NS65DGTL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RGT16NS65DGTL
- رقم القطعة:
- RGT16NS65DGTL
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IGBT 650V 16A 94W TO-263S
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13129 Pieces
- ورقة البيانات:
- RGT16NS65DGTL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RGT16NS65DGTL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RGT16NS65DGTL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 8A |
| اختبار حالة: | 400V, 8A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 13ns/33ns |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | LPDS (TO-263S) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 42ns |
| السلطة - ماكس: | 94W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | RGT16NS65DGTLDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RGT16NS65DGTL |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 21nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 650V 16A 94W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| وصف: | IGBT 650V 16A 94W TO-263S |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 24A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 16A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRGT16NS65DGTL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BC20MDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 18A 60W TO220AB | تحقيق |
 |
SGF80N60UFTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 110W TO3PF | تحقيق |
 |
IXGB200N60B3 | IXYS | IGBT 600V 75A 1250W PLUS264 | تحقيق |
 |
RGTH80TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 70A 234W TO-247N | تحقيق |
 |
IRG4PH40UD-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 41A 160W TO247-3 | تحقيق |
 |
IRGS4045DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 77W D2PAK | تحقيق |
|
IRGP4269DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V TO247 COPAK | تحقيق |
 |
FGH30N60LSDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 480W TO247 | تحقيق |
 |
IXGH32N120A3 | IXYS | IGBT 1200V 75A 300W TO247 | تحقيق |
 |
IXA20RG1200DHGLB-TRR | IXYS | IGBT 1200V 32A 125W SMPD | تحقيق |
 |
SGH30N60RUFTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 48A 235W TO3P | تحقيق |
|
IXGQ96N30TCD1 | IXYS | IGBT 320V 96A TO3P | تحقيق |
 |
IXBF10N300C | IXYS | IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog