يشترى RGT80TS65DGC11 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RGT80TS65DGC11
- رقم القطعة:
- RGT80TS65DGC11
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IGBT 650V 70A 234W TO-247N
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13043 Pieces
- ورقة البيانات:
- RGT80TS65DGC11.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RGT80TS65DGC11 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RGT80TS65DGC11 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 40A |
| اختبار حالة: | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 34ns/119ns |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247N |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 58ns |
| السلطة - ماكس: | 234W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RGT80TS65DGC11 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 79nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N |
| وصف: | IGBT 650V 70A 234W TO-247N |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 120A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 70A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRGT80TS65DGC11
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGB30NC60KT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 185W D2PAK | تحقيق |
 |
APT25GP90BG | Microsemi Corporation | IGBT 900V 72A 417W TO247 | تحقيق |
 |
SGW20N60FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 179W TO247-3 | تحقيق |
 |
IXGT2N250 | IXYS | IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268 | تحقيق |
|
IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 110W TO247-3 | تحقيق |
 |
IRG7PH42UD1PBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 85A 313W TO247AC | تحقيق |
 |
ISL9V5045S3S | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 480V 51A 300W D2PAK | تحقيق |
 |
APT40GR120S | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 88A 500W D3PAK | تحقيق |
 |
STGW80V60F | STMicroelectronics | IGBT 600V 120A 469W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4BC20F | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W TO220AB | تحقيق |
|
IRG8P60N120KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC | تحقيق |
 |
RJH60T04DPQ-A1#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 650V TO247A | تحقيق |
 |
FGA50N60LS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 100A 240W TO3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog