يشترى RGTH50TS65GC11 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RGTH50TS65GC11
- رقم القطعة:
- RGTH50TS65GC11
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IGBT 650V 50A 174W TO-247N
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19570 Pieces
- ورقة البيانات:
- RGTH50TS65GC11.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RGTH50TS65GC11 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RGTH50TS65GC11 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 25A |
| اختبار حالة: | 400V, 25A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 27ns/94ns |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247N |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 174W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RGTH50TS65GC11 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 49nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 650V 50A 174W Through Hole TO-247N |
| وصف: | IGBT 650V 50A 174W TO-247N |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 100A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 50A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRGTH50TS65GC11
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGP16N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO220 | تحقيق |
 |
SKW25N120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 | تحقيق |
 |
RGTH50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 50A 174W TO-247N | تحقيق |
 |
RJH1CF7RDPQ-80#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 1200V 60A 250W TO247 | تحقيق |
 |
GPA030A120MN-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO3PN | تحقيق |
 |
AUIRGSL30B60K | Infineon Technologies | IGBT 600V 78A 370W TO262 | تحقيق |
 |
STGW35NC120HD | STMicroelectronics | IGBT 1200V 60A 235W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4PH50S-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 57A 200W TO247AD | تحقيق |
 |
IRG4BC30KD-STRR | Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 100W D2PAK | تحقيق |
 |
IXBT42N170 | IXYS | IGBT 1700V 80A 360W TO268 | تحقيق |
 |
STGW15M120DF3 | STMicroelectronics | IGBT 1200V 30A 259W | تحقيق |
|
IRG4PC20U | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 60W TO247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog