RJK6032DPH-E0#T2
RJK6032DPH-E0#T2
رقم القطعة:
RJK6032DPH-E0#T2
الصانع:
Renesas Electronics America
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14457 Pieces
ورقة البيانات:
RJK6032DPH-E0#T2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RJK6032DPH-E0#T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RJK6032DPH-E0#T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RJK6032DPH-E0#T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-251
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):40.3W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:RJK6032DPH-E0#T2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:285pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:9nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 3A (Ta) 40.3W (Tc) Through Hole TO-251
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 3A TO251
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات