العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > RJU003N03T106
RJU003N03T106
RJU003N03T106
رقم القطعة:
RJU003N03T106
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16520 Pieces
ورقة البيانات:
RJU003N03T106.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RJU003N03T106 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RJU003N03T106 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RJU003N03T106 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:UMT3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.1 Ohm @ 300mA, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):200mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-70, SOT-323
اسماء اخرى:RJU003N03T106TR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RJU003N03T106
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:24pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:300mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRJU003N03T106

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPD70R1K4CEAUMA1 Image IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3 تحقيق
IXFK240N15T2 Image IXFK240N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 240A TO264 تحقيق
IRLD120PBF Image IRLD120PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP تحقيق
SI7892BDP-T1-GE3 Image SI7892BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 تحقيق
IRFI510GPBF Image IRFI510GPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP تحقيق
AUIRFS6535TRL Image AUIRFS6535TRL Infineon Technologies MOSFET N CH 300V 19A D2PAK تحقيق
IXFP220N06T3 Image IXFP220N06T3 IXYS 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE تحقيق
IRF1010ZSPBF Image IRF1010ZSPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
RJU002N06T106 Image RJU002N06T106 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 تحقيق
IRF630FP Image IRF630FP STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP تحقيق
CSD18541F5 Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR تحقيق
STF2NK60Z Image STF2NK60Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP تحقيق
IXFT50N20 Image IXFT50N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 تحقيق
FQD2N80TF Image FQD2N80TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK تحقيق
IPD60R600P6ATMA1 Image IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 تحقيق
IRF7807VD2TRPBF Image IRF7807VD2TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC تحقيق
IXFH24N90P Image IXFH24N90P IXYS MOSFET N-CH TO-247 تحقيق
NVB6411ANT4G Image NVB6411ANT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK تحقيق
BUZ31HXKSA1 Image BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 تحقيق
IPB014N06NATMA1 Image IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 تحقيق

Latest الأخبار