يشترى RN 4Z مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RN 4Z
- رقم القطعة:
- RN 4Z
- الصانع:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- وصف:
- DIODE GEN PURP 200V 3.5A AXIAL
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19754 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.RN 4Z.pdf2.RN 4Z.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN 4Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN 4Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 920mV @ 3.5A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 100ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Axial |
| اسماء اخرى: | RN 4Z DK |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RN 4Z |
| وصف موسع: | Diode Standard 200V 3.5A Through Hole |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 200V 3.5A AXIAL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 50µA @ 200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3.5A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRN 4Z
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GL41D-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | تحقيق |
 |
1N6701US | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 30V 5A D5C | تحقيق |
 |
8EWF04S | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A DPAK | تحقيق |
 |
EK 06W | Sanken | DIODE SCHOTTKY 60V 700MA AXIAL | تحقيق |
 |
BYV29B-300HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | تحقيق |
 |
RN 4A | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | تحقيق |
|
RN 1Z | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL | تحقيق |
|
RN 2ZV | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL | تحقيق |
 |
RD0306T-TL-H | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA | تحقيق |
 |
RN 2ZV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL | تحقيق |
|
RN 2Z | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL | تحقيق |
 |
STPS1L30M | STMicroelectronics | DIODE SCHOTTKY 30V 1A STMITE | تحقيق |
 |
GP10ME-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL | تحقيق |
 |
PD3S160Q-7 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 60V 1A POWERDI323 | تحقيق |
|
RN 1ZV | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL | تحقيق |
 |
SF20AG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 2A DO15 | تحقيق |
 |
RN 1ZV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL | تحقيق |
 |
NRVTS10100MFST1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN | تحقيق |
 |
MUR440 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD | تحقيق |
 |
MBRF10H45-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 10A ITO220AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog