RN1306,LF
RN1306,LF
رقم القطعة:
RN1306,LF
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16952 Pieces
ورقة البيانات:
RN1306,LF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1306,LF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1306,LF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN1306,LF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:USM
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):47k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):4.7k
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-70, SOT-323
اسماء اخرى:RN1306,LF(B
RN1306,LF(T
RN1306LFTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:RN1306,LF
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
وصف:TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:80 @ 10mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات