العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - واحدة، قبل منح > RN1413(TE85L,F)
RN1413(TE85L,F)
RN1413(TE85L,F)
رقم القطعة:
RN1413(TE85L,F)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19827 Pieces
ورقة البيانات:
RN1413(TE85L,F).pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1413(TE85L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1413(TE85L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN1413(TE85L,F) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:S-Mini
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):47k
السلطة - ماكس:200mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:RN1413(TE85LF)TR
RN1413TE85,F
RN1413TE85F
RN1413TE85F-ND
RN1413TE85FTR
RN1413TE85FTR-ND
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:11 Weeks
الصانع الجزء رقم:RN1413(TE85L,F)
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
وصف:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRN1413(TE85L,F)

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FJN3306RTA Image FJN3306RTA Fairchild/ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 تحقيق
RN1412TE85LF Image RN1412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI تحقيق
DDTC124GE-7 Image DDTC124GE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 تحقيق
FJV3108RMTF Fairchild/ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 تحقيق
RN1418(TE85L,F) Image RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI تحقيق
RN1414,LF Image RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI تحقيق
DDTA144TUA-7-F Image DDTA144TUA-7-F Diodes Incorporated TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 تحقيق
RN1417(TE85L,F) Image RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI تحقيق
PDTA115TT,215 Image PDTA115TT,215 Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB تحقيق
RN1105ACT(TPL3) Image RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 تحقيق
RN1416,LF Image RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI تحقيق
RN1415(TE85L,F) Image RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI تحقيق

Latest الأخبار