RN1510(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح RN1510(TE85L,F)

RN1510(TE85L,F)

رقم القطعة:: RN1510(TE85L,F)

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15093 Pieces

ورقة البيانات:: RN1510(TE85L,F).pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1510(TE85L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1510(TE85L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى RN1510(TE85L,F) مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
تجار الأجهزة حزمة:	SMV
سلسلة:	-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):	-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):	4.7k
السلطة - ماكس:	300mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SC-74A, SOT-753
اسماء اخرى:	RN1510(TE85LF)TR
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	RN1510(TE85L,F)
تردد - تحول:	250MHz
وصف موسع:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
وصف:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لRN1510(TE85L,F)

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
PEMB9,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666	تحقيق
NSBC114YPDP6T5G	ON Semiconductor	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963	تحقيق
RN4982FE,LF(CB	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	تحقيق
PBLS2023D,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP	تحقيق
RN1511(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV	تحقيق
PEMH11,315	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار