العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح > RN1704JE(TE85L,F)
RN1704JE(TE85L,F)
RN1704JE(TE85L,F)
رقم القطعة:
RN1704JE(TE85L,F)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13298 Pieces
ورقة البيانات:
RN1704JE(TE85L,F).pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1704JE(TE85L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1704JE(TE85L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN1704JE(TE85L,F) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
تجار الأجهزة حزمة:ESV
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):47k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):47k
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-553
اسماء اخرى:RN1704JE(TE85LF)TR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RN1704JE(TE85L,F)
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
وصف:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:80 @ 10mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRN1704JE(TE85L,F)

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
EMG4T2R Image EMG4T2R Rohm Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 تحقيق
RN1703JE(TE85L,F) Image RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
RN1701JE(TE85L,F) Image RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
NSBC114YDXV6T1G Image NSBC114YDXV6T1G ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 تحقيق
UMH6NTR Image UMH6NTR Rohm Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 تحقيق
DMA264010R Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6 تحقيق
RN1705JE(TE85L,F) Image RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
RN1706JE(TE85L,F) Image RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
RN2902,LF Image RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 تحقيق
RN1702JE(TE85L,F) Image RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
PEMH30,115 Image PEMH30,115 Nexperia USA Inc. TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 تحقيق
IMD9AT108 Image IMD9AT108 Rohm Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 تحقيق

Latest الأخبار