RN2318(TE85L,F)
RN2318(TE85L,F)
رقم القطعة:
RN2318(TE85L,F)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14185 Pieces
ورقة البيانات:
RN2318(TE85L,F).pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN2318(TE85L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN2318(TE85L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN2318(TE85L,F) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:PNP - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:USM
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):10k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):47k
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-70, SOT-323
اسماء اخرى:RN2318(TE85LF)
RN2318(TE85LF)-ND
RN2318(TE85LF)TR
RN2318TE85LF
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:RN2318(TE85L,F)
تردد - تحول:200MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
وصف:TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:50 @ 10mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات