العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح > RN2911,LF
RN2911,LF
RN2911,LF
رقم القطعة:
RN2911,LF
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14936 Pieces
ورقة البيانات:
RN2911,LF.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN2911,LF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN2911,LF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN2911,LF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:US6
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):10k
السلطة - ماكس:200mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:RN2911,LF(CB
RN2911,LF(CT
RN2911LF(CTTR
RN2911LF(CTTR-ND
RN2911LFTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RN2911,LF
تردد - تحول:200MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
وصف:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRN2911,LF

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
DMC261020R Panasonic Electronic Components TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 تحقيق
RN2506(TE85L,F) Image RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV تحقيق
RN2911FE(TE85L,F) Image RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 تحقيق
BCR08PNH6727XTSA1 Image BCR08PNH6727XTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 تحقيق
RN2911(T5L,F,T) Image RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 تحقيق
RN2910(T5L,F,T) Image RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 تحقيق
DCX114TK-7-F Image DCX114TK-7-F Diodes Incorporated TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R تحقيق
RN2910FE,LF(CB Image RN2910FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 تحقيق
XP0431N00L Image XP0431N00L Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق
NSBA113EDXV6T1 Image NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 تحقيق
RN2963(TE85L,F) Image RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 تحقيق
XP0421600L Image XP0421600L Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 تحقيق

Latest الأخبار