RN4602TE85LF
RN4602TE85LF
رقم القطعة:
RN4602TE85LF
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12458 Pieces
ورقة البيانات:
RN4602TE85LF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN4602TE85LF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN4602TE85LF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN4602TE85LF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:SM6
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):10k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):10k
السلطة - ماكس:300mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-74, SOT-457
اسماء اخرى:RN4602(TE85L,F)
RN4602TE85LFTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:11 Weeks
الصانع الجزء رقم:RN4602TE85LF
تردد - تحول:200MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
وصف:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:50 @ 10mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات