RN4911(T5L,F,T) - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح RN4911(T5L,F,T)

RN4911(T5L,F,T)

رقم القطعة:: RN4911(T5L,F,T)

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17009 Pieces

ورقة البيانات:: RN4911(T5L,F,T).pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN4911(T5L,F,T) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN4911(T5L,F,T) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى RN4911(T5L,F,T) مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:	US6
سلسلة:	-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):	-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):	10k
السلطة - ماكس:	200mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:	RN4911(T5LFT)TR
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	RN4911(T5L,F,T)
تردد - تحول:	200MHz
وصف موسع:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
وصف:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لRN4911(T5L,F,T)

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
PEMD10,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666	تحقيق
UMD5NTR	Rohm Semiconductor	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6	تحقيق
RN4910,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	تحقيق
RN4910(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	تحقيق
MUN5230DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار