RQ3E180AJTB
رقم القطعة:
RQ3E180AJTB
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16631 Pieces
ورقة البيانات:
RQ3E180AJTB.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RQ3E180AJTB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RQ3E180AJTB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RQ3E180AJTB مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 11mA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-HSMT (3.2x3)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):2W (Ta), 30W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:RQ3E180AJTBTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:RQ3E180AJTB
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4290pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:39nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18A (Ta), 30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات