RQ3G150GNTB
رقم القطعة:
RQ3G150GNTB
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
NCH 40V 30A POWER MOSFET
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19257 Pieces
ورقة البيانات:
RQ3G150GNTB.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RQ3G150GNTB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RQ3G150GNTB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RQ3G150GNTB مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-HSMT (3.3x3.3)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:7.2 Ohm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):20W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:RQ3G150GNTBTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:RQ3G150GNTB
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1450pF @ 20V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:24.1nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 39A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.3x3.3)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:NCH 40V 30A POWER MOSFET
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:39A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات