RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR
رقم القطعة:
RQ7E110AJTCR
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14507 Pieces
ورقة البيانات:
RQ7E110AJTCR.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RQ7E110AJTCR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RQ7E110AJTCR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RQ7E110AJTCR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 10mA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TSMT8
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9 mOhm @ 4.5A, 11V
تبديد الطاقة (ماكس):1.5W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SMD, Flat Lead
اسماء اخرى:RQ7E110AJTCRTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:RQ7E110AJTCR
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2410pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:22nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات