يشترى RSS090P03FU6TB مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RSS090P03FU6TB
- رقم القطعة:
- RSS090P03FU6TB
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13452 Pieces
- ورقة البيانات:
- RSS090P03FU6TB.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RSS090P03FU6TB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RSS090P03FU6TB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 14 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | RSS090P03FU6TB |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4000pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRSS090P03FU6TB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLR2705TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK | تحقيق |
 |
RSS090P03FU7TB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC | تحقيق |
 |
FDD6512A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK | تحقيق |
 |
BUK764R3-40B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
RSS090N03FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | تحقيق |
|
RSS090P03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STP80NF12 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 120V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
IPB049NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | تحقيق |
|
RSS095N05FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BUK653R7-30C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB | تحقيق |
 |
AO6414 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 55V 2.3A 6-TSOP | تحقيق |
 |
IXFN44N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B | تحقيق |
 |
AO4708 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog