يشترى RU1C001ZPTL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RU1C001ZPTL
- رقم القطعة:
- RU1C001ZPTL
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19163 Pieces
- ورقة البيانات:
- RU1C001ZPTL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RU1C001ZPTL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RU1C001ZPTL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | UMT3F |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-85 |
| اسماء اخرى: | RU1C001ZPTLTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RU1C001ZPTL |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 15pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.2V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRU1C001ZPTL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BS108/01,126 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 | تحقيق |
 |
RU1C002UNTCL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F | تحقيق |
 |
NTMS4P01R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
PMZB320UPEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SOT883 | تحقيق |
|
RU1C002ZPTCL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F | تحقيق |
 |
ZVN0124A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | تحقيق |
 |
AOT2618L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 7A TO220 | تحقيق |
|
RU1C001UNTCL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F | تحقيق |
 |
IRF6626TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET | تحقيق |
 |
EPC2029 | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
IXFB44N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 | تحقيق |
 |
BUK7213-40A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 55A DPAK | تحقيق |
 |
IRF7831PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI4190DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFP16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 | تحقيق |
 |
NTMFS5C456NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog