يشترى RV2C001ZPT2L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RV2C001ZPT2L
- رقم القطعة:
- RV2C001ZPT2L
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13859 Pieces
- ورقة البيانات:
- RV2C001ZPT2L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RV2C001ZPT2L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RV2C001ZPT2L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | VML1006 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 100mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-101, SOT-883 |
| اسماء اخرى: | RV2C001ZPT2LTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RV2C001ZPT2L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 15pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount VML1006 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.2V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRV2C001ZPT2L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD | تحقيق |
 |
RV2C014BCT2CL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006 | تحقيق |
 |
IXTH20P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
 |
RV2C010UNT2L | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1A VML1006 | تحقيق |
 |
IPU50R2K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | تحقيق |
 |
STP80NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
IPD220N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | تحقيق |
 |
IXFN48N55 | IXYS | MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B | تحقيق |
 |
CSD17306Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON | تحقيق |
 |
FDD5353 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK | تحقيق |
 |
NTNS3166NZT5G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883 | تحقيق |
|
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 | تحقيق |
 |
HUF75321P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB | تحقيق |
 |
FDZ7296 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A BGA | تحقيق |
 |
IXFQ50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO3P | تحقيق |
 |
BSP92P E6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 | تحقيق |
 |
IRFB4510PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 62A TO220AB | تحقيق |
 |
STP14NK60ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP | تحقيق |
 |
STD5NK50Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers