يشترى RZL035P01TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RZL035P01TR
- رقم القطعة:
- RZL035P01TR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16525 Pieces
- ورقة البيانات:
- RZL035P01TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RZL035P01TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RZL035P01TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TUMT6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 36 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Leads |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | RZL035P01TR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1940pF @ 6V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 12V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
| وصف: | MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRZL035P01TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7609-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
PMN48XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP | تحقيق |
 |
IRF7805PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | تحقيق |
 |
PMZ130UNEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT883 | تحقيق |
 |
CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | تحقيق |
 |
IRLIZ14G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP | تحقيق |
 |
IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN | تحقيق |
 |
IXFX64N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 | تحقيق |
 |
BSC014N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 | تحقيق |
 |
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | تحقيق |
 |
IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | تحقيق |
 |
CTLDM7120-M621H TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 1A | تحقيق |
 |
IXTK102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 | تحقيق |
 |
FMD21-05QC | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 | تحقيق |
|
IXTK170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A TO-264 | تحقيق |
|
SI4435DYTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BSL307SP | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP | تحقيق |
 |
BUK9E2R8-60E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | تحقيق |
 |
SUD50N10-18P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252 | تحقيق |
 |
BSP324L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog