يشترى S6D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
S6D
- رقم القطعة:
- S6D
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14740 Pieces
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل S6D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك S6D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 6A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-4 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | S6DGN |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | S6D |
| وصف موسع: | Diode Standard 200V 6A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لS6D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
S6QR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4 | تحقيق |
 |
S6B | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 | تحقيق |
 |
MBRB1050-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO263AB | تحقيق |
|
S6DR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 | تحقيق |
|
S6JR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 | تحقيق |
|
S6M | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 | تحقيق |
 |
FFH50US60S | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 50A TO247 | تحقيق |
|
S6G | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR20MR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5 | تحقيق |
 |
SS32-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 3A 20V DO-214AB | تحقيق |
 |
MDO1200-22N1 | IXYS | DIODE MODULE 2.2KV Y1-CU | تحقيق |
|
S6MR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 | تحقيق |
|
S6GR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 | تحقيق |
|
S6KR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 | تحقيق |
|
S6BR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 | تحقيق |
|
S6J | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 | تحقيق |
|
S6Q | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4 | تحقيق |
|
S6K | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 | تحقيق |
 |
1N5406RL | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | تحقيق |
|
VS-MBRB735-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO263AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog