يشترى SBR2A40P1-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SBR2A40P1-7
- رقم القطعة:
- SBR2A40P1-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE SBR 40V 2A POWERDI123
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15694 Pieces
- ورقة البيانات:
- SBR2A40P1-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SBR2A40P1-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SBR2A40P1-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 500mV @ 2A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 40V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerDI™ 123 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | SBR® |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | POWERDI®123 |
| اسماء اخرى: | SBR2A40P17 SBR2A40P1DITR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SBR2A40P1-7 |
| وصف موسع: | Diode Super Barrier 40V 2A Surface Mount PowerDI™ 123 |
| نوع الصمام الثنائي: | Super Barrier |
| وصف: | DIODE SBR 40V 2A POWERDI123 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 40V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSBR2A40P1-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SBR2A40P1Q-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 40V 2A POWERDI123 | تحقيق |
 |
SBR2A40SA-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 40V 2A SMA | تحقيق |
|
RS2JA-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMA | تحقيق |
 |
S3JHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | تحقيق |
 |
SBR2A150SP5-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 150V 2A PDI5 | تحقيق |
|
SBR2A30P1-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 30V 2A POWERDI123 | تحقيق |
 |
DHG20I600PA | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC | تحقيق |
 |
SBR2A40BLP-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 2A 40V V-DFN5060-4 | تحقيق |
 |
HSM560G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO215AB | تحقيق |
 |
VS-15AWL06FNTRR-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ULT FAST 15A 600V DPAK | تحقيق |
 |
1N4006 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 | تحقيق |
 |
CDBA1100-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC | تحقيق |
 |
MCL4448-TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 75V 200MA MICROMELF | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog