يشترى SBRT05U10LP-7B مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SBRT05U10LP-7B
- رقم القطعة:
- SBRT05U10LP-7B
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE SBR X1-DFN1006-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12868 Pieces
- ورقة البيانات:
- SBRT05U10LP-7B.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SBRT05U10LP-7B ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SBRT05U10LP-7B عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 390mV @ 500mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 10V |
| تجار الأجهزة حزمة: | X1-DFN1006-2 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | TrenchSBR® |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2-UFDFN |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SBRT05U10LP-7B |
| وصف موسع: | Diode Super Barrier 10V 500mA Surface Mount X1-DFN1006-2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Super Barrier |
| وصف: | DIODE SBR X1-DFN1006-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1mA @ 10V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 500mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSBRT05U10LP-7B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SET061211 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 30A MODULE | تحقيق |
 |
MEO450-12DA | IXYS | DIODE MODULE 1.2KV 453A Y4-M6 | تحقيق |
 |
NSB8BT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | تحقيق |
 |
SBRT05U20LP-7B | Diodes Incorporated | DIODE SBR X1-DFN1006-2 | تحقيق |
 |
SBRT05U20S3-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 20V 500MA SOD323 | تحقيق |
 |
VS-T70HFL20S02 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 200V 70A D-55 | تحقيق |
 |
RBR3MM60ATR | Rohm Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDU | تحقيق |
|
SD101BWS-7 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 50V 15MA SOD323 | تحقيق |
 |
RF051VA2STR | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 500MA TUMD2 | تحقيق |
 |
CD214B-B260LF | Bourns Inc. | DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
DPG10I300PA | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC | تحقيق |
 |
SL510-TP | Micro Commercial Co | DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
EM01Z | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
ESH2PB-M3/84A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA | تحقيق |
 |
A330D | Powerex Inc. | DIODE STD 1200A 400V DO-200AA | تحقيق |
 |
MBR3545 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4 | تحقيق |
 |
BAS32L,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD80 | تحقيق |
 |
SB320E-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog