يشترى SGD06N60BUMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SGD06N60BUMA1
- رقم القطعة:
- SGD06N60BUMA1
- وصف:
- IGBT 600V 12A 68W TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16713 Pieces
- ورقة البيانات:
- SGD06N60BUMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SGD06N60BUMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SGD06N60BUMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.4V @ 15V, 6A |
| اختبار حالة: | 400V, 6A, 50 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 25ns/220ns |
| تحويل الطاقة: | 215µJ |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 68W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | SGD06N60 SGD06N60-ND SP000011995 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | SGD06N60BUMA1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 32nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO252-3 |
| وصف: | IGBT 600V 12A 68W TO252-3 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 24A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 12A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSGD06N60BUMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXXK300N60C3 | IXYS | IGBT 600V 510A 2300W TO264 | تحقيق |
 |
AUIRG4BC30USTRL | Infineon Technologies | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | تحقيق |
 |
NGTB15N60S1EG | ON Semiconductor | IGBT 600V 30A 117W TO220-3 | تحقيق |
 |
IRGPF50F | Infineon Technologies | IGBT FAST 900V 51A TO-247AC | تحقيق |
 |
NGD8201NT4G | ON Semiconductor | IGBT 440V 20A 125W DPAK | تحقيق |
 |
IRG4RC10KTR | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 38W DPAK | تحقيق |
|
IRG4BC20UD-SPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 60W D2PAK | تحقيق |
 |
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | تحقيق |
 |
GA35XCP12-247 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V SOT247 | تحقيق |
|
IRG4BC15UD-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 49W D2PAK | تحقيق |
|
STGB30H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W D2PAK | تحقيق |
 |
FGA90N33ATTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 330V 90A 223W TO3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog