يشترى SGH20N60RUFDTU مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SGH20N60RUFDTU
- رقم القطعة:
- SGH20N60RUFDTU
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 600V 32A 195W TO3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15420 Pieces
- ورقة البيانات:
- SGH20N60RUFDTU.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SGH20N60RUFDTU ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SGH20N60RUFDTU عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.8V @ 15V, 20A |
| اختبار حالة: | 300V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 30ns/48ns |
| تحويل الطاقة: | 524µJ (on), 473µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3PN |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 95ns |
| السلطة - ماكس: | 195W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SGH20N60RUFDTU |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 55nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 32A 195W Through Hole TO-3PN |
| وصف: | IGBT 600V 32A 195W TO3P |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 60A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 32A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSGH20N60RUFDTU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGH25N120A | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247AD | تحقيق |
 |
IRG4BC30F-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | تحقيق |
|
IRG4BC20K-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | تحقيق |
 |
RJH60V1BDPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 16A 30W TO-220FL | تحقيق |
 |
IRG7PH46UD-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 108A COPAK247 | تحقيق |
 |
IXER35N120D1 | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247 | تحقيق |
|
IXGH25N120 | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247AD | تحقيق |
 |
NGTB50N60SWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 50A TO247 | تحقيق |
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 | تحقيق |
 |
FGP30N6S2D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO220AB | تحقيق |
|
IXSH40N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 48A TO247 | تحقيق |
 |
APT102GA60L | Microsemi Corporation | IGBT 600V 183A 780W TO264 | تحقيق |
|
NGTB75N60FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 600V 75A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog