يشترى SH8K32TB1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SH8K32TB1
- رقم القطعة:
- SH8K32TB1
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16710 Pieces
- ورقة البيانات:
- SH8K32TB1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SH8K32TB1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SH8K32TB1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOP (5.0x6.0) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 65 mOhm @ 4.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | SH8K32TB1TR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SH8K32TB1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 500pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10nC @ 5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP (5.0x6.0) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSH8K32TB1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDC6420C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 | تحقيق |
 |
ALD210808PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | تحقيق |
 |
IRF7905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | تحقيق |
 |
TPC8407,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP | تحقيق |
 |
SH8K3TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8 | تحقيق |
|
BSO211PNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC | تحقيق |
 |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP | تحقيق |
 |
APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | تحقيق |
|
APTML1002U60R020T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 | تحقيق |
 |
IPG20N06S2L65AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
ALD212914PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
 |
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
FDMD8560L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog