يشترى SH8KA2GZETB مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SH8KA2GZETB
- رقم القطعة:
- SH8KA2GZETB
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14461 Pieces
- ورقة البيانات:
- SH8KA2GZETB.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SH8KA2GZETB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SH8KA2GZETB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 28 mOhm @ 8A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2.8W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | SH8KA2GZETBTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SH8KA2GZETB |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 330pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSH8KA2GZETB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MP6K14TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6 | تحقيق |
 |
IPG20N06S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
FDMQ8403 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP | تحقيق |
 |
APTM20DUM08TG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | تحقيق |
 |
FDS8928A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC | تحقيق |
 |
SH8KA4TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET | تحقيق |
|
FQS4901TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP | تحقيق |
 |
BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | تحقيق |
 |
STL13DP10F6 | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56 | تحقيق |
 |
AON5810 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN | تحقيق |
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP | تحقيق |
 |
SI7842DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog