يشترى SI1039X-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 450mV @ 250µA (Min) |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | SC-89-6 |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 165 mOhm @ 870mA, 4.5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 170mW (Ta) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
اسماء اخرى: | SI1039X-T1-GE3TR SI1039XT1GE3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI1039X-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6nC @ 4.5V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | P-Channel 12V 870mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
وصف: | MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 870mA (Ta) |
Email: | [email protected] |