SI1303DL-T1-GE3
SI1303DL-T1-GE3
رقم القطعة:
SI1303DL-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13335 Pieces
ورقة البيانات:
SI1303DL-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1303DL-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1303DL-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI1303DL-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SC-70-3
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:430 mOhm @ 1A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):290mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-70, SOT-323
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI1303DL-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:2.2nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:670mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات